سامسونگ از حافظه رم جدید 512 گیگابایت DDR5 رونمایی کرد

کدخبر: 621

سامسونگ ماژول جدید 512 گیگابایتی DDR5 را معرفی کرد که از فناوری High-K Metal Gate (HKMG) بهره می برد. به گفته سامسونگ، ماژول حافظه در نوع خود اولین است و حداکثر 7200 مگابیت در ثانیه را ارائه می دهد. افزایش سرعت باعث برطرف شدن بیشترین بارهای کاری از جمله ابر رایانه، هوش مصنوعی و یادگیری

سامسونگ از حافظه رم جدید 512 گیگابایت DDR5 رونمایی کرد

سامسونگ معرفی کرد: رم‌های حیرت انگیز DDR5 با ظرفیت 512 گیگابایت در هر ماژول

سامسونگ ماژول جدید 512 گیگابایتی DDR5 را معرفی کرد که از فناوری High-K Metal Gate (HKMG) بهره می برد. به گفته سامسونگ، ماژول حافظه در نوع خود اولین است و حداکثر 7200 مگابیت در ثانیه را ارائه می دهد. افزایش سرعت باعث برطرف شدن بیشترین بارهای کاری از جمله ابر رایانه، هوش مصنوعی و یادگیری ماشین خواهد شد.

سامسونگ ادعا کرده که این ماژول‌های حافظه دارای فرآیند HKMG یا High-K Metal Gate هستند که قبلا برای تولید ماژول‌های GDDR6 VRAM توسط همین شرکت استفاده شده است. فرآیند یادشده به ماژول‌های حافظه این امکان را می‌دهد تا (به نسبت مدل‌های قبلی) 13 درصد انرژی کمتری استفاده کنند و از هدر رفت برق نیز جلوگیری کنند. این حافظه در مجموع دارای 40 تراشه DRAM است که هر تراشه DRAM دارای هشت لایه ماژول DRAM 16 گیگابایتی است که روی هم قرار گرفته و با تکنولوژی TSV (Through-Silicon-Via) به هم متصل شده‌اند.

سامسونگ از حافظه رم جدید 512 گیگابایت DDR5 رونمایی کرد | ایستگاه آی تی

یانگ سو سون، نایب رئیس گروه برنامه ریزی و توانمندسازی حافظه DRAM در سامسونگ الکترونیک اعلام کرد:

با آوردن این نوع نوآوری در فرآیند تولید حافظه‌های DRAM، ما قادر به ارائه محصولات حافظه جدیدتر با عملکرد بالا و در عین حال مصرف پایین (برای تأمین انرژی رایانه‌های مورد نیاز) برای تحقیقات پزشکی، بازارهای مالی، ماشین‌های خودران، شهرهای هوشمند و فراتر از آن هستیم.”

حافظه DDR5 سامسونگ از فناوری HKMG بسیار پیشرفته (که به طور سنتی در حافظه‌های منطقی استفاده می‌شود) استفاده خواهد کرد. در حافظه‌های DRAM، لایه عایق نازک شده که این موضوع منجر به نشت انرژی و برق بالاتر می‌شود. با جایگزینی مواد عایق با مواد HKMG ، حافظه DDR5 سامسونگ قادر خواهد بود تا همزمان نشت انرژی را کاهش داده و عملکرد خود را بهبود ببخشد. فرآیند HKMG برای اولین بار در حافظه GDDR6 سامسونگ در سال 2018 به کار گرفته شد. سامسونگ با گسترش نفوذ خود در حافظه‌های DDR5، پیشتازی خود را در فناوری نسل بعدی DRAM بیش از پیش تثبیت کرد.

رم‌های 512 گیگابایتی سامسونگ برای استفاده در کنار پردازنده‌هایی نظیر Intel Xeon Scalable، Intel Sapphire Rapids و AMD EPYC توسعه یافته‌اند. بنا به دلایل و سیاست‌های سامسونگ، این شرکت از افشای حداکثر میزان انتقال داده در رم‌های DDR5 RDIMM خود اجتناب می‌کند که البته این عمل قابل انتظار بوده و این بخش به زمان عرضه واگذار شده است.